STMicroelectronics vacancy search engine

THESE CIFRE : Influence réduction dimensions sur formation films siliciure de Ni M/F


Vacancy details

General information

Reference

2021-11574  

Job level

20 - Professional First Level

Position description

Posting title

THESE CIFRE : Influence réduction dimensions sur formation films siliciure de Ni M/F

Regular/Temporary

Temporary

Contract duration (nb of months)

36

Job description


Le site Crolles 300 est le centre de recherche de STMicroelectronics pour les technologies avancées des technologies Flash de mémoire embarquées qui sont au centre des futures innovations, notamment pour la voiture autonome. Ces nouvelles technologies sont réalisées dans un nœud technologique dit 28 nm, dimension relative àde la taille de grille des transistors CMOS (pour Complementary Metal Oxyde Semiconductor). Dans l’industrie du semiconducteurssemi-conducteur, les siliciures de CoNickel, de formule chimique NiSi, sont généralement utilisés pour ces nœuds technologiques mais ceci constitue un défi technique car l’épaisseur finale de ce type de couches minces est inférieure à 12 nm. C’est pourquoi ces films sont dénommés « ultra-fins ». Les inconvénients majeurs de ce type de siliciure sont les suivants : 1) instabilité ou modification de la séquence de phase, notamment la formation de phases riches en silicium, qui sont indésirables dans les circuits de la microélectronique; 2) très forte sensibilité à l’agglomération, c’est-à-dire à la formation d’ilots par démouillage de la couche sur le substrat.
 L’objectif de cette thèse est de proposer une compréhension fine des processus de formation et d’agglomération de ces films ultra-minces par une approche méthodique et expérimentale telle que : 1) déterminer les changements en terme de séquence de phase notamment la redistribution des éléments minoritaires sur des échantillons pleine plaque et avec des motifs photolithographiés de la réduction de l’épaisseur de siliciure; 2) identifier l’influence des procédés additionnels (recuits, implantation) sur l’agglomération de ces films fins ; 3) estimer la faisabilité de l’implémentation de ce nouveau recuit sur les dispositifs réels.3) Estimer les changements en terme de formation et de sensibilité à l’agglomération dans des motifs photo-lithographiés de dimension nominale (Etudes à ESRF (Grenoble) et par sonde atomique tomographique à IM2NP(Marseille)).
Pour ce faire, la thèse se déroulera dans les trois entités suivantes : le laboratoire IM2NP à Marseille (Campus Saint Jérôme), le CEA-LETI, et ST Crolles où l’étudiant(e) sera formé(e) aux techniques de dépôts sous vide, de recuits et aux différentes techniques de caractérisations, qui apporteront un complément d’informations par rapport aux autres techniques de caractérisations déployées à l’IM2NP et au CEA-LETI.  

Ainsi l’étudiant aura une formation pluridisciplinaire très complète durant la thèse et notamment une bonne connaissance des méthodes de caractérisations de pointe. 

La direction de cette thèse sera assurée par Dominique Mangelinck, directeur de recherche au CNRS et co-encadrée par Sophie Guillemin au LETI et Magali Grégoire à STMicroelectronics.

Profile

Connaissances en micro-électronique et en thermodynamique.

Connaissances en physique des matériaux et méthodes de caractérisations associées à l’étude des films minces.

Spécialité matériaux. 

Position localisation

Job location

Europe, France, Crolles

Candidate criteria

Education level required

5 - Master degree

Experience level required

Less than 2 years

Languages

English (2- Business fluent)

Requester

Desired start date

04/10/2021