By continuing to browse, you accept the use of cookies for the purposes of authentication and adding favourites. Find out more
STMicroelectronics vacancy search engine

STAGE R&D : Extraction BIPOLAIRE


Vacancy details

General information

Reference

2019-3181  

Job level

30 - Graduate Entry Level

Position description

Posting title

STAGE R&D : Extraction BIPOLAIRE

Regular/Temporary

Temporary

Job description

Le développement de nouvelles technologies BiCMOS, pour lesquelles STM est un des leaders mondiaux, nécessite une amélioration constante des performances des transistors bipolaires à hétérojonction (HBT). Définir les caractéristiques physiques (dopant, …) une dimension (1D) du transistor au début du développement permettrait d’optimiser le temps de mise sur le marché. Deux approches ont été identifiées : séquence de plusieurs optimisations ou utilisation de programme de Machine Learning (ML).

Votre mission consiste à définir et mettre en place une méthodologie permettant de trouver les caractéristiques physiques 1D d’un transistor bipolaire à partir de ses caractéristiques électriques. Il vous sera demandé dans un premier temps de vous imprégner du sujet et d’effectuer une recherche bibliographique sur le sujet. Dans un deuxième temps, mettre en place la méthodologie sélectionnée et la valider avec un exemple connu, afin de d’analyser les points forts et les points faibles de cette dernière.

Profile

Master 2 ou équivalent spécialise en informatique avec une connaissance dans le domaine du Machine Learning.

Une préférence pour les candidats intéressés pour continuer en thèse sur ce sujet.

Position localisation

Job location

Europe, France, Crolles

Candidate criteria

Education level required

5 - Master degree

Experience level required

Less than 2 years

Languages

English (1- Basic)

Requester

Desired start date

03/02/2020